林舟画出了一个扩散炉的设计图，标注了温度控制点、气流系统和样品架的位置。这种设备用于在高温下将掺杂剂扩散到硅片中，是制造半导体器件的内核设备之一。
林舟现在掌握的光刻技术比那个年代先进得多。他知道如何制作精度达到微米级的电路图案，而当时主流水平还停留在几十微米。
写完这些，林舟开始思考配套设备的问题。要制造半导体器件，需要一系列专用设备，如扩散炉、光刻机、蚀刻槽、键合机等，这些在当时都是高度专业化的设备，不是随便一个工厂就能生产的。
他详细列出了每种设备的简化方案和替代品，确保在现有技术条件下能够实现。这些设备虽然简陋，精度和效率都比不上专业设备，但足以开始初步的半导体研发。
林舟记得这时候国际上集成电路刚刚起步，每个芯片上的晶体管数量还很少，但已经开始改变电子工业的面貌。而他现在掌握的知识，理论上可以制造出比当时先进得多的集成电路。
他翻出一张新纸，开始设计一个秘密电子实验室的布局。实验室需要分为几个局域：材料制备区、光刻区、扩散区、组装测试区等，每个局域都有特定的设备和环境要求。
他又详细列出了实验室所需的各种设备和材料，从基础的显微镜、天平、烘箱，到专业的电子测试仪器，再到各种化学试剂和金属材料。
最后，林舟在纸上画出了几个简单的电路图，是他打算首先尝试制造的半导体器件：一个基本的二极体，一个小信号三极管，以及一个简单的与门集成电路。这些是最基础的半导体器件，也是验证工艺是否可行的最佳选择。
他把所有笔记收好，放回木箱，仔细锁好。这些知识太过珍贵，容不得半点泄露。
在这个科技相对落后的年代，林舟掌握的这些知识如同一把密钥匙，能够打开通往未来的大门。他深知，只要合理利用这些技术，就能在短时间内实现跨越式发展，为自己的宏大计划奠定坚实的基础。
林舟拿出一张新纸，开始设计闭路电视监控系统的材料清单。
摄象头所需材料清单：聚焦镜头组（可从废旧照相机拆解获得）、光电转换管（目前只有军用，需要通过特殊渠道获取）、扫描偏转线圈（手工绕制，需要细漆包线200米）、电子枪组件（最难获取的部分，需要军部协助）、真空玻璃管壳（可改造电子管外壳）
各类电阻、电容（总计约30个，规格各异）
高压变压器（5000v，低功率即可）
信号放大电路（使用自制的晶体管）
他又列出了显示设备的材料清单：阴极射线管（可从废旧示波器中获取）、偏转线圈（同样手工绕制）、信号处理电路（需要自制晶体管约20个）、电源模块（220v转各种工作电压）、金属外壳（车间里就能加工）。
接下来，他开始规划半导体工艺实验室的建设方案。
这是更加宏大的计划，涉及的材料和设备更多，技术要求也更高。
区熔提纯设备（自行设计，需要精密机械加工）
单晶拉制炉（温度梯度控制极为关键）
切片机（可改造精密机床）
抛光设备（机械加化学双重抛光）
半导体工艺设备：
扩散炉（可改造高温电炉，但需要特殊气体系统）
光刻系统（自行设计，包括准直光源、掩模对准机构）
显影槽（玻璃或陶瓷材质，防腐蚀）
蚀刻槽（同样需要耐腐蚀材料）
气相沉积设备（需要特殊气体和加热系统）
金属化设备（真空蒸发或溅射，较为复杂）
键合机（可初步手工操作，后期改进）
化学试剂清单：各种高纯酸（硝酸、盐酸、氢氟酸等，纯度至少分析纯）、有机溶剂（丙酮、乙醇、二甲苯等）、光刻胶（可能需要自行配制）、显影液（同样需要配制）、各种掺杂剂（硼、磷、砷等高纯化合物）、金属材料（铝、金、银等高纯度金属）